原子层沉积 (ALD)技术:
具有:
三维共形性,广泛适用于不同形状的基底
大面积成膜的均匀性,且致密、无针孔
可实现亚纳米级的薄膜厚度控制
精确控制纳米叠层和原子掺杂比例
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研发创新
20%
研发投入/营收
56200
生产研发基地
3000
专有技术(项)
35%
研发人员占比
核心技术团队
专业团队
工艺开发
专精ALD厂商
专业ALD
专业解决方案
国内领先前瞻应用定制化
前瞻应用
定制开发
国内唯一全场景Demo设备线
全场景Demo
量产经验
智造创新
半导体设备规划产能
光伏设备规划产能
服务创新